Processプロセス名ContentAg濃度（g/L）Ag HardnessPurity析出純度（%）硬度（HV）As DepoDeposition Rate析出速度Time/µmCD電流密度（A/dm2）（C.D. A/dm2）pHTemp.操作温度（℃）Features特徴Ag-10N-BRIGHT N-ブライトN-BRIGHT HS N-ブライトHSLED BRIGHT Ag-20 10T25-12099.99PRECIOUSFAB Ag2000 プレシャスファブ Ag200040-8098-99SP-4000LED SILVER 4000LED SILVER 500040-10099.99100-1200.5sec（50）20-1008.0 -11.0MetSil HR-100PRECIOUSFAB Ag4730 プレシャスファブ Ag473050-7099.5100-12020sec（5.0)25-4099-99.5140-1702min（1.0）0.2-1.512.2 -12.930-8099-99.5140-1705sec（20）5-2580-100150-40-8099.9980-10040-8099.99100-1200.5sec（50）30-1508.0 -10.040-8099.980-1001.4sec（70）50-1008.0 -9.03099.9110-130100sec（1.0）0.5-6.011.02-1013.013.0-13.31min（1.5）1-1212.5 -13.02sec（50）50-1208.0 -8.81sec（100）40-2008.0 -9.0High-CN, Se & Sb type 高シアン Se,Sb含有20-2520-25High-CN, Bright finish, High hardness, Sb type 高シアン 光沢 高硬度 Sb含有High-CN, High speed, Bright finish, High hardness, Sb Type, Insoluble anode高シアン 高速 光沢 高硬度 Sb含有 不溶性アノード使用35-45High-CN, Brightness:0.8-1.2, Se-Type, for LED高シアン 光沢度:0.8～1.2 Se含有 LED向け15-40Low-CN, High-speed, Se & Sb typeInsoluble anode低シアン 高速タイプ Se,Sb含有不溶性アノード使用45-60Low-CN, For L/F, High Speed 低シアン L/F向け 高速40-80Low-CN, High brightness & reflectance, Se-Type, High-CD, For LED 低シアン 高光沢 高反射率 Se含有 高電流密度 LED向け40-65Low-CN, High brightness & reflectance, Se-Type, Low-CD, For LED 低シアン 高光沢 高反射率 Se含有 低電流密度 LED向け35-5550-70Low-CN, Rough surface, Insoluble anode 低シアン 粗化表面 不溶性アノード使用40-60Non-CN, Semi-bright, Bi-Type ノンシアン 半光沢 Bi含有Silver Plating Process Agめっきプロセス10
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