総合カタログ

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433333111EEJA Total Approach Concept BookpHTemp. 操作温度 （℃）pHTemp.操作温度（℃）Process プロセス名Processプロセス名Pd Content Pd 濃度 （g/L）Hardness 硬度 （HV/HK*） As DepoPurity 析出純度 （%）Pd ContentPd 濃度（g/L）Purity析出純度（%）Deposition Rate 析出速度 Time/µm （C.D. A/dm2）CD 電流密度 （A/dm2）Deposition Rate析出速度Features 特徴Features特徴 － 3-57.50.4-0.8 µm/h7.60.3-0.7 µm/h7.60.3-0.8 µm/h8.41-599.9240-270 約 4 min （1.0） ～ 1.5 8.50.5 - - 2599.9210-260 6 sec （50） 30-100 8.399240-290 4.2 min （1.0） 0.5-1.0 8.899.9240-270 5.4 min （0.75） 0.5-1.0 7.099.9240-270 5.4 min （0.75） 0.5-1.0 7.099260-290 5.4 min （0.75） 0.5-1.0 7.02.599260-290 5.4 min （0.75） 0.6-0.9 7.02078-82 480-530 5.6 sec （50） 20-60 7.58 80 450-550 5.5 min （1.0） 0.5-1.5 7.53.580 450-550 6 min （0.75） 0.25-1.0 7.599.9240-270 5.4 min （0.75） 0.5-1.0 7.099.9240-270 5.4 min （0.75） 0.5-1.0 7.01099.9220-270 4.1 min （1.0） 0.75-1.25 8.094-9894-9894-98PD-LF-800SPRECIOUSFAB Pd-ST3 プレシャスファブ Pd-ST3PRECIOUSFAB Pd110 プレシャスファブ Pd110PRECIOUSFAB Pd-LF5 プレシャスファブ Pd-LF5PRECIOUSFAB Pd-ADP700 プレシャスファブ Pd-ADP700PRECIOUSFAB Pd-ADP720 プレシャスファブ Pd-ADP720PRECIOUSFAB Pd-ADG800 プレシャスファブ Pd-ADG800PRECIOUSFAB Pd-ADG860プレシャスファブ Pd-ADG860PRECIOUSFAB Pd82GVE プレシャスファブ Pd82GVEPRECIOUSFAB PC120 プレシャスファブ PC120PRECIOUSFAB PC200 プレシャスファブ PC200MICROFAB Pd700 ミクロファブ Pd700MICROFAB Pd720 ミクロファブ Pd720MICROFAB Pd750 ミクロファブ Pd750AC FAB Pd2000SAC FAB Pd2200SAC FAB Pd2300SFrom Pd strike to thick plating 厚付け対応 Pd ストライク35-5035-45Standard Pd strike 標準 Pd ストライク50-65High-speed 高速タイプFor Pd-PPF Pd-PPF 用50-60Pure Pd, Neutral type, Less ammonia odor, Chlorine free 純 Pd 中性浴 低アンモニア 塩素フリー45-55Pure Pd, Neutral type, Less ammonia odor 純 Pd 中性浴 低アンモニアタイプ45-55Neutral type, Less ammonia odor, High heat-resistance, Chlorine free 中性浴 低アンモニアタイプ 高耐熱性 塩素フリー45-5545-55Neutral type, Less ammonia odor, High heat-resistance 中性浴 低アンモニアタイプ 高耐熱性High-speed Pd/Ni alloy Pd80% 高速 PdNi 合金　Pd:80%65-7540-60Pd/Co alloy, Thick deposits PdCo 合金　厚付けタイプPd/Co alloy, Stable alloy ratio, Low Pd content PdCo 合金 析出比率安定 低 Pd 浴45-5545-55For wafer, Low Pd content, Halogen-free ウェハー用　低 Pd 浴　ハロゲンフリーFor wafer, Low Pd content ウェハー用 低 Pd 浴45-5535-45For wafer, High-speed ウェハー用　高速タイプAutocatalytic, For general applications 還元浴　汎用タイプ50-54Autocatalytic, For general applications, Ready-to-use 還元浴　基本液タイプ　汎用タイプ50-56Autocatalytic, For general applications, High bath load 還元浴　汎用タイプ　高浴負荷めっき用50-56Pd めっきプロセス 無電解 Pd めっきプロセスPalladium Plating Process Electroless Palladium Plating Process 11