総合カタログ

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2度Process プロセス名Content Ru濃度 （g/L）Processプロセス名ContentRu濃度（g/L）Process プロセス名Content Ir濃度 （g/L）Process プロセス名Content In濃度 （g/L）Process プロセス名Ru Hardness Purity 析出純度 （%）硬度 （HK*） As DepoRu Purity析出純度（%）Ir Hardness Purity 析出純度 （%）硬度 （HV） As DepoIn Hardness Purity 析出純度 （%）硬度 （HV） As DepoPrebake Post bake Prebake Temp.TimeTemp.プリベーク温プリベークポストベーク時間温度（℃）（℃）（min.）Deposition Rate 析出速度 Time/µmCD 電流密度 （A/dm2）（C.D. A/dm2）Deposition Rate析出速度Deposition Rate 析出速度 Time/µm CD 電流密度 （A/dm2）（C.D. A/dm2）Deposition Rate 析出速度 Time/µm CD 電流密度 （A/dm2）（C.D. A/dm2）Postbake Timeポストベーク時間Viscosity（min.）粘度（cP）pHTemp. 操作温度 （℃）Temp.操作温度（℃）pHpHTemp. 操作温度 （℃）pHTemp. 操作温度 （℃）希釈溶媒Features 特徴Features特徴Features 特徴Features 特徴Features 特徴PRECIOUSFAB Ru100 プレシャスファブ Ru100PRECIOUSFAB Ru300プレシャスファブ Ru300PRECIOUSFAB Ru1000 プレシャスファブ Ru1000AC FAB Ru200PRECIOUSFAB Ir300 プレシャスファブ Ir300PRECIOUSFAB Ir500 プレシャスファブ Ir500GALVANOMEISTER In4950 ガルバノマイスター In4950MICROFAB In4950 ミクロファブ In4950SEADCAT PRM200-DPSシードキャット PRM200-DPS100-180SEADCAT PRM200-MRGシードキャット PRM200-MRG240-2601099770-870*770-870*1099.999.9 - 0.1599.91599.9 - 1690-98 - 2599.9＜302599.9＜3010100-24030240-26010min（1.0）0.8-1.21.36.7min（1.5）1-21.510min（1.0）0.8-1.21.00.3-0.5µm/hr12.515min（0.4）0.2-0.53.510min（0.5）0.2-1.03.51.6 min（2.0）1.0-10.02.51.6 min（2.0）1.0-10.02.51015101260-70For general applications, Under1.0 µm 汎用タイプ　1.0µm以下High purity deposits, Good electrical performance高純度析出物、優れた電気特性60-70Low Ru concentration, Under0.5µm低Ru濃度　0.5µm以下60-7043Autocatalytic, For general applications, 還元浴　基本液タイプ80-90Pure Iridium, Under 1.0µm 純Ir　1.0µm以下80-90Ir/Ni alloy, Under 3µm IrNi合金　3µm以下25-35For electric parts/connecters 電子部品の他、コネクター用可25-35For wafers ウェハ用 シクロヘキサノンFor low heat resistant temperature substrate 低耐熱温度基板用シクロヘキサノンFor high heat resistant temperature substrate高耐熱温度基板用Ruthenium Plating Process RuめっきプロセスElectroless Ruthenium Plating Process 無電解RuめっきプロセスIridium Plating Process IrめっきプロセスIndium Plating Process InめっきプロセスDirect Patternable Plating Process ダイレクトパターナブルめっきプロセス14