総合カタログ

6/20

24888484Process プロセス名 Content Au濃度 （g/L） Process プロセス名 Content Au濃度 （g/L） Au Hardness Purity 析出純度 （%）硬度 （HV） As DepoAu Purity 析出純度 （%）Hardness 硬度 （HV/HK*） As DepoDeposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2）CD 電流密度 （A/dm2）Deposition Rate CD 析出速度 Time/µm （A/dm2）電流密度 （A/dm2）pHTemp. 操作温度 （℃）Temp. 操作温度 （℃）pHFeatures 特徴Features 特徴PRECIOUSFAB HG-GVC プレシャスファブ HG-GVCPRECIOUSFAB HG-GVCS プレシャスファブ HG-GVCSPRECIOUSFAB HG-GVCL プレシャスファブ HG-GVCLPRECIOUSFAB HG-ICC7 プレシャスファブ HG-ICC7FINE BARRIER 7000K-185ST PRECIOUSFAB HG-N プレシャスファブ HG-NPRECIOUSFAB HG-GVN プレシャスファブ HG-GVNPRECIOUSFAB HG-GVNL プレシャスファブ HG-GVNLPRECIOUSFAB HG-ICN100 プレシャスファブ HG-ICN100PRECIOUSFAB HG-NW プレシャスファブ HG-NW1099.5- 99.9120-1908sec（60）10-1504.499.5- 99.9120-2404min（2）0.5-6.04.299.5- 99.9120-1902min（4）0.5-10.04.299.5- 99.9150-2008sec（50）20-1004.43-1099.8130-17012sec（40）10-504.25-2099.5- 99.9130-1608sec（40）＜6098.5- 99.5160-210*99.5- 99.9120-19011sec（50）10-1004.499.5- 99.9110-1702.7min（2.0）0.5-10.04.299.5- 99.9150-20012sec（50）10-1004.288-92390-430*4.44min（1.5）0.3-1.53.610min（1.0）0.5-1.54.855-70For general applications（rack-jet） ラック～JETまで汎用タイプLow gold concentration type of GVC for substratesGVCの低Au濃度　基板向け35-5035-55Low gold concentration type of GVCGVCの低Au濃度55-65For nickel barrier type connectors コネクター向け（Niバリアタイプ）45-60For nickel barrier type connectors コネクター向け（Niバリアタイプ）35-65For general applications（rack-jet） ラック～JETまで汎用タイプ30-35For general applications（rack-jet） ラック～JETまで汎用タイプ55-70For general applications（rack-jet） ラック～JETまで汎用タイプLow gold concentration type of GVNGVNの低Au濃度35-50For nickel barrier type connectorsコネクター向け（Niバリアタイプ用）40-5045-55High hardness 高硬度タイプGold-Cobalt Alloy Plating Process/ Cyanide Type AuCo合金めっきプロセス/シアンタイプGold-Nickel Alloy Plating Process/ Cyanide Type AuNi合金めっきプロセス/シアンタイプ06