Au
電解 > シアン
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV/HK*） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRECIOUSFAB Au8100 プレシャスファブ Au8100 |
8 | 99.99 | 50 - 80＊ | 5.5 min | （0.3） | 0.1 - 0.7 | 6.0 | 50 - 75 | Tl-free Tl不含有 |
|
| PRECIOUSFAB Au8400 プレシャスファブ Au8400 |
8 | 99.99 | 50 - 80 | 4 min | （0.4） | 0.2 - 1.0 | 6.0 | 50 - 70 | Good throwing power 均一電着性良好 |
|
| PRECIOUSFAB Au8405 プレシャスファブ Au8405 |
12 | 99.99 | 50 - 80＊ | 34 sec | （3.0） | 1.0 - 5.0 | 6.0 | 65 - 75 | High-speed, Good throwing power 均一電着性良好 高速対応 |
|
| PRECIOUSFAB Au8500 プレシャスファブ Au8500 |
6 | 99.99 | 80 - 120 | 8 min | （0.2） | 0.1 - 0.8 | 6.0 | 50 - 70 | Low gold conc., Good throwing power 均一電着性良好 低Au濃度 |
|
| PRECIOUSFAB Au-MLA100 プレシャスファブ Au-MLA100 |
3.5 | 99.99 | 50 - 80＊ | 8 min | （0.2） | 0.1 - 0.4 | 4.7 | 55 - 65 | Low gold conc., Good throwing power 均一電着性良好 低Au濃度 |
|
| PRECIOUSFAB Au-MLA300 プレシャスファブ Au-MLA300 |
3.5 | 99.99 | 50 - 80 | 8 min | （0.2） | 0.1 - 0.5 | 6.0 | 55 - 65 | Low gold conc., Good throwing power, Inhibits gold displacement 均一電着性良好 低Au濃度 置換反応抑制 |
|
| PRECIOUSFAB Au-BHG100 プレシャスファブ Au-BHG100 |
3.5 | 99.9 | 130 - 200 | 9 min | （0.2） | 0.1 - 0.3 | 6.4 | 30 - 40 | High hardness 高硬度タイプ |
|
| PRECIOUSFAB Au-GB5 プレシャスファブ Au-GB5 |
8 | 99.9 | 80 - 120 | 4 min | （0.4） | 0.1 - 0.7 | 5.8 | 45 - 55 | For wafers ウエハ対応 |
|
| K-44 | 8 - 10 | 99.99 | 80 - 120 | 1.7 min | （1.0） | ＜2.0 | 6.3 | 65 | Standard type for rack plating ラック用標準タイプ |
|
| K-440 | 10 | 99.99 | 80 - 120 | 13 sec | （10） | ＜16 | 6.7 | 75 | High-speed jet plating 高速めっき対応 |
|
Au
電解 > ノンシアン
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MICROFAB Au100 ミクロファブ Au100 |
10 | 99.99 | 60 - 90 | 3.2 min | （0.5） | 0.1 - 0.8 | 8.0 | 60 - 70 | For general applications 汎用タイプ 低硬度バンプ |
|
| MICROFAB Au310 ミクロファブ Au310 |
10 | 99.9 | 120 - 190 | 4 min | （0.4） | 0.2 - 0.6 | 8.0 | 40 - 50 | Bright finish 光沢タイプ |
|
| MICROFAB Au660 ミクロファブ Au660 |
16 | 99.99 | 100 - 130 | 2 min | （0.8） | 0.5 - 1.2 | 8.0 | 55 - 65 | For low hardness bumps and fine patterns, High-speed 低硬度バンプ ファインパターン対応 高速タイプ |
|
| MICROFAB Au1101 ミクロファブ Au1101 |
10 | 99.99 | 80 - 110 | 3.2 min | （0.5） | 0.2 - 0.7 | 8.0 | 55 - 65 | For mid hardness bumps and fine patterns 中硬度バンプ ファインパターン対応 |
|
| MICROFAB Au1151 ミクロファブ Au1151 |
15 | 99.99 | 80 - 110 | 2 min | （0.8） | 0.4 - 1.0 | 8.0 | 55 - 65 | For mid hardness bumps and fine patterns, High-speed 中硬度バンプ ファインパターン対応 高速タイプ |
|
| MICROFAB Au2108 ミクロファブ Au2108 |
10 | 99.99 | 100 - 130 | 3.2 min | （0.5） | 0.2 - 0.7 | 8.0 | 55 - 64 | For low hardness bumps and fine patterns 低硬度バンプ ファインパターン対応 |
|
| MICROFAB Au2168 ミクロファブ Au2168 |
16 | 99.99 | 100 - 130 | 2 min | （0.8） | 0.5 - 1.2 | 8.0 | 55 - 65 | For low hardness bumps and fine patterns, High-speed 低硬度バンプ ファインパターン対応 高速タイプ |
|
| MICROFAB Au3151 ミクロファブ Au3151 |
15 | 99.99 | 80 - 110 | 2 min | （0.8） | 0.4 - 1.0 | 8.0 | 53 - 57 | For high hardness bumps and fine patterns, High-speed 高硬度バンプ ファインパターン対応 高速タイプ |
|
| MICROFAB Au5151 ミクロファブ Au5151 |
15 | 99.99 | - | 4 min | （0.4） | 0.2 - 0.6 | 8.0 | 55 - 60 | For Via filling ビアフィリング用 |
|
Au
無電解 > シアン
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Deposition Rate 析出速度 |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IM MEISTER Au1100S IMマイスター Au1100S |
2 | 99.9 | 0.03 - 0.06 μm/10 min | 4.8 | 75 - 90 | Immersion gold for ENIG(Ni-P) 置換タイプ ENIG(Ni-P)用 |
|
| IM MEISTER Au1200 IMマイスター Au1200 |
2 | 99.9 | 0.02 - 0.06 μm/10 min | 4.7 | 75 - 90 | Immersion gold for ENIG(Ni-B) 置換タイプ ENIG(Ni-B)用 |
|
| IM MEISTER Au-FX5 IMマイスター Au-FX5 |
2 | 99.9 | 0.3 - 0.5 μm/20 min (Ni) 0.15 - 0.25 μm/20 min (Pd) |
5.0 | 80 - 90 | Thick immersion gold for ENIG ENEPIG 厚付け置換タイプ ENIG ENEPIG用 |
|
| IM MEISTER Au-IG100 IMマイスター Au-IG100 |
2 | 99.9 | 0.25 μm/20 min (Ni) 0.15 μm/20 min (Pd) |
5.0 | 80 - 90 | Immersion gold for ENIG ENEPIG, Good throwing power 置換タイプ ENIG, ENEPIG用 膜厚均一性 |
|
| ATOMEX アトメックス |
3.8 | 99.9 | 0.1 μm/10 min | 5.5 | 80 | Immersion gold for ENIG ENEPIG 置換タイプ ENIG, ENEPIG用 |
|
| IMEX-510D | 3 | 99.9 | 0.02 μm/10 min | 6.0 | 80 | Direct immersion gold on Cu Cu上直接置換タイプ |
|
| CERAGOLD 6040 セラゴールド 6040 |
3.5 | 99.9 | 3 - 6 μm/hr | 13.0 | 65 - 75 | High-speed autocatalytic thick gold 高速還元厚付けタイプ |
|
| CERAGOLD 6070 セラゴールド 6070 |
3 | 99.9 | 1.5 - 3.5 μm/hr | 12.9 | 63 - 68 | Pb free, Mid-speed autocatalytic thick gold Pbフリー 中速還元厚付けタイプ |
|
| AC MEISTER Au-1 AC マイスター Au-1 |
1 | 99.9 | 0.08 - 0.12 μm/15 min | 8.2 | 85 | Immersion type 置換還元タイプ |
Au
無電解 > ノンシアン
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Deposition Rate 析出速度 |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IM FAB Au-IGS4000 | 1 | 99.9 | 0.02 - 0.08 μm/5 - 30 min | 7.5 | 67 - 73 | Immersion type, Low gold concentration, For ENIG 置換タイプ 低Au濃度 ENIG用 |
|
| IM FAB Au-IGS4200 | 1 | 99.9 | 0.02 - 0.1 μm/5 - 30 min | 7.4 | 70 - 74 | Immersion type, Low gold concentration, For high-phosphorus Ni 置換タイプ 低Au濃度 高リンNi対応 |
|
| IM FAB Au-IGS8700 | 1 | 99.9 | 0.02 - 0.08 μm/5 - 30 min | 7.5 | 55 - 65 | Immersion type, Low gold concentration, Low temp., For ENEPIG 置換タイプ 低Au濃度 ENEPIG用 低温タイプ |
|
| SUPER MEX 250 スーパーメックス 250 |
3 | 99.9 | 0.05 μm/10 min | 7.0 | 70 | Immersion type, For general applications 置換タイプ 汎用タイプ |
|
| AC FAB Au-ACG3000GX | 2 | 99.9 | 0.5 - 0.8 μm/hr | 7.5 | 65 | Autocatalytic thick gold 還元厚付けタイプ |
|
| SUPER MEX 850 スーパーメックス 850 |
4 | 99.9 | 0.6 μm/60 min | 7.0 | 65 - 70 | Autocatalytic type, High bath stability 還元厚付けタイプ 浴安定性が高い |
|
| SUPER MEX 880 スーパーメックス 880 |
2 | 99.9 | 0.5 μm/60 min | 7.3 | 60 | Autocatalytic type, Low gold concentration 還元厚付けタイプ 低濃度Auタイプ |
|
| AC FAB Au-IAG1000 | 2.5 | 99.9 | 0.13 - 0.15 μm/10 min | 7.5 | 70 | Autocatalytic type, Good throwing power on Pd 還元タイプ Pd膜上の膜厚均一性 |
|
| IM FAB Au-IGS2020 | 1 | 99.9 | 0.04 - 0.06 μm/8 min | 5.8 | 50 | Immersion type, Low gold concentration 厚付置換タイプ 低Au濃度 |
フラッシュAu/ストライクAu
シアン
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Time 処理時間 （Sec.） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| POSTFLASH 100 ポストフラッシュ 100 |
0.5 | 99.9 | - | 15 - 30 | 0.01 - 0.2 | 6.5 | 40 - 60 | Flash gold for Pd-PPF Pd-PPF用フラッシュAu |
|
| PRECIOUSFAB Au-ST100 プレシャスファブ Au-ST100 |
1 | - | - | 10 - 20 | 3.0 - 6.0 | 3.7 | 45 - 55 | Standard Au strike 標準Auストライク |
|
| PRECIOUSFAB Au-ST200 プレシャスファブ Au-ST200 |
1 | - | - | 10 - 15 | 2.0 - 5.0 | 6.5 | 20 - 40 | Mild acidic Au strike 弱酸性Auストライク |
|
| PRECIOUSFAB Au-ST300 プレシャスファブ Au-ST300 |
2 | - | - | 10 - 60 | 1.0 - 5.0 | ＜1.0 | 30 - 50 | Hydrochloric acid type Au strike for SUS SUS用Auストライク: 塩酸タイプ |
|
| PRECIOUSFAB Au-ST400 プレシャスファブ Au-ST400 |
2 | - | - | 10 - 100 | 2.0 - 6.0 | ＜1.0 | 25 - 40 | Chloride-free Au strike for SUS SUS用Auストライク: 塩素フリー |
|
| K-130AF | 0.5 - 1.5 | 99.99 | - | 15 - 45 | 1.0 - 3.0 | 5.5 | 50 | Standard Au strike, Anti-fungus type 標準Auストライク 防カビタイプ |
|
| N-200 | 0.5 - 2 | 99.99 | - | 10 - 30 | 3.0 - 7.0 | 5.5 | 23 - 25 | Low temperature type Au strike 低温仕様Auストライク |
|
| N-205 | 3 | 99.5 | - | - | 2.0 - 7.0 | ＜1.0 | 35 - 45 | Hydrochloric acid type Au strike for SUS, Up to 5 μm SUS用Auストライク: 塩酸タイプ 5μm厚付け可能 |
フラッシュAu/ストライクAu
ノンシアン
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MICROFAB Au NX-ST ミクロファブ Au NX-ST |
1 | - | - | - | - | 2.0 - 5.0 | 8.5 | 20 - 40 | Tl-free, For general applications ＜0.05 μm Tlフリー 汎用タイプ Auストライク ＜0.05 μm |
|
| MICROFAB AuFL2100 ミクロファブ AuFL2100 |
4 | 99.99 | - | 11 min | （0.15） | 0.15 - 0.2 | 7.8 | 35 - 45 | Direct gold Flash plating on Ni ＜1.0 μm Ni上ダイレクトAuフラッシュ ＜1.0 μm |
|
| NCF-400FL-ST | 4 | 99.99 | - | 6 min | （0.3） | 0.1 - 0.3 | 8.0 | 35 - 45 | Direct gold Flash plating on Ni,Cu ＜2.0 μm Ni/Cu上ダイレクトAuフラッシュ ＜2.0 μm |
|
Au合金
AuCo
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRECIOUSFAB HG-GVC プレシャスファブ HG-GVC |
10 | 99.5 - 99.9 | 120 - 190 | 8 sec | （60） | 10 - 150 | 4.4 | 55 - 70 | For general applications（rack-jet） ラック～JETまで汎用タイプ |
|
| PRECIOUSFAB HG-GVCS プレシャスファブ HG-GVCS |
2 | 99.5 - 99.9 | 120 - 240 | 4 min | （2） | 0.5 - 6.0 | 4.2 | 35 - 50 | Low gold concentration type of GVC for substrates GVCの低Au濃度 基板向け |
|
| PRECIOUSFAB HG-GVCL プレシャスファブ HG-GVCL |
4 | 99.5 - 99.9 | 120 - 190 | 2 min | （4） | 0.5 - 10.0 | 4.2 | 35 - 55 | Low gold concentration type of GVC GVCの低Au濃度 |
|
| PRECIOUSFAB HG-ICC7 プレシャスファブ HG-ICC7 |
8 | 99.5 - 99.9 | 150 - 200 | 8 sec | （50） | 20 - 100 | 4.4 | 55 - 65 | For nickel barrier type connectors コネクター向け（Niバリアタイプ） |
|
| FINE BARRIER 7000 | 3 - 10 | 99.8 | 130 - 170 | 12 sec | （40） | 10 - 50 | 4.2 | 45 - 60 | For nickel barrier type connectors コネクター向け（Niバリアタイプ） |
|
| K-185ST | 5 - 20 | 99.5 - 99.9 | 130 - 160 | 8 sec | （40） | ＜60 | 4.4 | 35 - 65 | For general applications（rack-jet） ラック～JETまで汎用タイプ |
|
Au合金
AuNi
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV/HK*） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRECIOUSFAB HG-N プレシャスファブ HG-N |
8 | 98.5 - 99.5 | 160 - 210＊ | 4 min | （1.5） | 0.3 - 1.5 | 3.6 | 30 - 35 | For general applications（rack-jet） ラック～JETまで汎用タイプ |
|
| PRECIOUSFAB HG-GVN プレシャスファブ HG-GVN |
8 | 99.5 - 99.9 | 120 - 190 | 11 sec | （50） | 10 - 100 | 4.4 | 55 - 70 | For general applications（rack-jet） ラック～JETまで汎用タイプ |
|
| PRECIOUSFAB HG-GVNL プレシャスファブ HG-GVNL |
4 | 99.5 - 99.9 | 110 - 170 | 2.7 min | （2.0） | 0.5 - 10.0 | 4.2 | 35 - 50 | Low gold concentration type of GVN GVNの低Au濃度 |
|
| PRECIOUSFAB HG-ICN100 プレシャスファブ HG-ICN100 |
8 | 99.5 - 99.9 | 150 - 200 | 12 sec | （50） | 10 - 100 | 4.2 | 40 - 50 | For nickel barrier type connectors コネクター向け（Niバリアタイプ用） |
|
| PRECIOUSFAB HG-NW プレシャスファブ HG-NW |
4 | 88 - 92 | 390 - 430＊ | 10 min | （1.0） | 0.5 - 1.5 | 4.8 | 45 - 55 | High hardness 高硬度タイプ |
|
Au合金
AuSn
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRECIOSFAB GT1000 プレシャスファブ GT1000 |
10 | 75 - 80 | - | 3.2 min | （0.75） | 0.5 - 1.0 | 4.0 | 38 - 42 | Adjustable alloy ratio 合金比率の調整可能 |
|
| PRECIOUSFAB GT1020 プレシャスファブ GT1020 |
10 | 70 - 80 | - | 3.0 min | （0.6） | 0.5 - 0.7 | 4.1 | 38 - 42 | With Stir-CUP system by Mitomo-SE 三友SE社製Stir-CUP装置用 |
|
| PRECIOUSFAB GT1100 プレシャスファブ GT1100 |
10 | 62 - 68 | - | 6 min | （0.4） | 0.3 - 0.6 | 4.0 | 40 - 44 | Stable alloy ratio 析出比率安定 |
|
Au合金
AuAg
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRECIOUSFAB GS3000 プレシャスファブ GS3000 |
4 | 40 - 80 | 160 - 220 | 3.1 min | （0.5） | 0.25 - 0.75 | 9.5 | 20 - 30 | High corrosion resistance, Bright finish 高耐食性 光沢外観 |
|
Au合金
AuCu
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Au Content Au濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HK*） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MICROFAB Au NX240 ミクロファブ Au NX240 |
10 | 98.5 - 99.5 | 200 - 240＊ | 3.3 min | （0.5） | 0.2 - 0.7 | 7.2 | 60 - 70 | Bright thick AuCu alloy 光沢 厚付け AuCu合金 |
|
| MICROFAB Au NX260 ミクロファブ Au NX260 |
10 | 65 - 70 | 300 - 400＊ | 3.5 min | （1.0） | 0.8 - 1.2 | 6.6 | 58 - 62 | High hardness, Bright thick AuCu alloy 高硬度 光沢 厚付け AuCu合金 |
|