Cu
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Cu Content Cu濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （C.D. A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MICROFAB Cu200 ミクロファブ Cu200 |
25 | - | - | 1.5 min | （3.0） | 1.0 - 4.0 | ＜1 | 20 - 30 | Matt, For bumps 無光沢 バンプ |
|
| MICROFAB Cu250 ミクロファブ Cu250 |
50 | - | - | 0.75 min | （6.0） | 2.0 - 8.0 | ＜1 | 20 - 30 | Matt, High-speed, For bumps and electroformings 無光沢 高速タイプ バンプ・電鋳 |
|
| MICROFAB Cu300 ミクロファブ Cu300 |
25 | - | - | 1.5 min | （3.0） | 2.0 - 4.0 | ＜1 | 20 - 30 | Bright, For bumps and RDL 光沢 バンプ・再配線 |
|
| MICROFAB Cu350 ミクロファブ Cu350 |
50 | - | - | 1.5 min | （3.0） | 3.0 - 8.0 | ＜1 | 20 - 30 | Bright, High-speed, For bumps and RDL 光沢 高速タイプ バンプ・再配線 |
|
| MICROFAB Cu500 ミクロファブ Cu500 |
50 | - | - | 2.3 min | （2.0） | 0.5 - 2.5 | ＜1 | 25 - 30 | Bright, For via filling, Low aspect ratio 光沢 ビアフィル 低アスペクト |
|
| MICROFAB Cu520 ミクロファブ Cu520 |
50 | - | - | 4.5 min | （1.0） | 0.5 - 2.5 | ＜1 | 25 - 30 | Semi-bright, For via filling, Middle aspect ratio 半光沢 ビアフィル 中アスペクト |
|
| MICROFAB Cu525 ミクロファブ Cu525 |
60 | - | - | 2.25 min | （2.0） | 0.5 - 2.5 | ＜1 | 21 - 25 | Semi-bright, For via filling, High aspect ratio 半光沢 ビアフィル 高アスペクト |
|
| GALVANOMEISTER CVF5 ガルバノマイスター CVF5 |
50 | - | - | 2.3 min | （2.0） | 0.5 - 2.5 | ＜1 | 25 - 30 | Bright, For via filling, PCB 光沢 ビアフィル 基板用 |
|
Ni
電解
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Ni Content Ni濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （C.D. A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GALVANOMEISTER Ni1003 ガルバノマイスター Ni1003 |
75 | - | - | 1.6 min | （3.0） | 1.5 - 8.0 | 3.0 | 50 - 60 | Semi-bright, Additive for watts bath 半光沢 ワット浴用添加剤 |
|
| GALVANOMEISTER Ni1003S ガルバノマイスター Ni1003S |
75 | - | - | 1.6 min | （3.0） | 1.5 - 8.0 | 3.0 | 50 - 60 | Semi-bright, Additive for sulfamate bath 半光沢 スルファミン酸浴用添加剤 |
|
| GALVANOMEISTER Ni100 ガルバノマイスター Ni100 |
75 | - | - | 1.6 min | （3.0） | 2.0 - 5.0 | 4.0 | 40 - 60 | Matt, Sulfamate bath 無光沢 スルファミン酸浴 |
|
| MICROFAB Ni100FF ミクロファブ Ni100FF |
75 | - | - | 1.6 min | （3.0） | 2.0 - 5.0 | 4.0 | 50 - 60 | Matt, Sulfamate bath, Formalin-free 無光沢 スルファミン酸浴 ホルマリンフリー |
|
| MICROFAB Ni200FF ミクロファブ Ni200FF |
75 | - | - | 1.6 min | （3.0） | 1.0 - 5.0 | 4.0 | 50 - 60 | Bright, Sulfamate bath, Formalin-free 光沢 スルファミン酸浴 ホルマリンフリー |
|
| MICROFAB Ni230 ミクロファブ Ni230 |
75 | - | - | 1.6 min | （3.0） | 2.0 - 5.0 | 4.0 | 45 - 55 | Bright, Sulfamate bath, Boric acid-free 光沢 スルファミン酸浴 ホウ酸フリー |
|
Ni
無電解
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Ni Content Ni濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Deposition Rate 析出速度 |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AC MEISTER NP7600 AC マイスター NP7600 |
4.8 | 92 - 94 | 8 - 16 μm/hr | 4.6 | 75 - 85 | Mid-phosphorus, Good solderability, Good bath stability 中リンタイプ 半田接合性良好 浴安定性良好 |
|
| MICROFAB ELN520 ミクロファブ ELN520 |
6.0 | 89 - 91 | 10 μm/hr | 4.6 | 89 - 91 | High-phosphorous, Good solderability, Good solution stability, For wafers 高リンタイプ 半田接合性良好 浴安定性良好 ウェハ用 |
In
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
In Content In濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （C.D. A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GALVANOMEISTER In4950 ガルバノマイスター In4950 |
25 | 99.9 | ＜30 | 1.6 min | （2.0） | 1.0 - 10.0 | 2.5 | 25 - 35 | For electric parts/connecters 電子部品の他、コネクター用可 |
|
| MICROFAB In4950 ミクロファブ In4950 |
25 | 99.9 | ＜30 | 1.6 min | （2.0） | 1.0 - 10.0 | 2.5 | 25 - 35 | For wafers ウェハ用 |
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ダイレクトパターナブル
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Prebake Temp. プリベーク温度 （℃） |
Prebake Time プリベーク時間 （min.） |
Postbake Temp. ポストベーク温度 （℃） |
Postbake Time ポストベーク時間 （min.） |
Viscosity 粘度 （cP） |
希釈溶媒 | Features 特徴 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SEADCAT PRM200-DPS シードキャット PRM200-DPS |
100 - 180 | 10 | 100 - 240 | 10 | 15 | シクロヘキサノン | For low heat resistant temperature substrate 低耐熱温度基板用 |
|
| SEADCAT PRM200-MRG シードキャット PRM200-MRG |
240 - 260 | 30 | 240 - 260 | 10 | 12 | シクロヘキサノン | For high heat resistant temperature substrate 高耐熱温度基板用 |