Plating Chemicals
めっき薬品について

Pd

電解

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項目選択 プロセス名 Pd濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV/HK*）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ Pd82GVE 20 78 - 82 480 - 530* 5.6 sec （50） 20 - 60 7.5 65 - 75 高速PdNi合金　Pd 80%: Ni 20%
プレシャスファブ Pd110 25 99.9 210 - 260* 6 sec （50） 30 - 100 8.3 50 - 65 高速タイプ
プレシャスファブ Pd-LF5 4 99 240 - 290 4.2 min （1.0） 0.5 - 1.0 8.8 50 - 60 高はんだ濡れ性
プレシャスファブ Pd-ADP720 3 99.9 240 - 270 5.4 min （0.75） 0.5 - 1.0 7.0 45 - 55 純Pd 低アンモニアタイプ
プレシャスファブ Pd-ADG820 3 99 260 - 290 5.4 min （0.75） 0.5 - 1.0 7.0 45 - 55 低アンモニアタイプ　高耐熱性
プレシャスファブ Pd-ADG860 2.5 99 260 - 290 5.4 min （0.75） 0.6 - 0.9 7.0 45 - 55 低Pd濃度 低アンモニアタイプ 高耐熱性
プレシャスファブ PC120 8 80 450 - 550 5.5 min （1.0） 0.5 - 1.5 7.5 40 - 60 PdCo合金　厚付けタイプ
プレシャスファブ PC200 3.5 80 450 - 550 10 min （0.75） 0.25 - 1.0 7.5 45 - 55 PdCo合金, 析出比率の安定性が高い　
低Pd浴
ミクロファブ Pd700 3 99.9 240 - 270 5.4 min （0.75） 0.5 - 1.0 7.0 45 - 55 ウェハ用　低Pd浴　ハロゲンフリー
ミクロファブ Pd720 3 99.9 240 - 270 5.4 min （0.75） 0.5 - 1.0 7.0 45 - 55 ウェハ用 低Pd浴
ミクロファブ Pd750 10 99.9 220 - 270 4.1 min （1.0） 0.75 - 1.25 8.0 35 - 45 ウェハ用　高速タイプ"
PD-LF-800S 1～5 99.9 300 - 400 1 min （1.5） 0.5 - 2.0 8.5 40 ストライク～厚付け可　濃度可変タイプ
プレシャスファブ Pd-ST3 0.5 － － － 3 - 6 7.5 35 - 45 Pdストライク　高密着性

無電解

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項目選択 プロセス名 Pd濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
µm/hr		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
AC FAB Pd2000S 1 94 - 98 － 0.4 - 0.8 7.6 50 - 54 還元　汎用タイプ
AC FAB Pd2200S 1 94 - 98 － 0.3 - 0.7 7.6 50 - 56 還元　基本液タイプ　汎用タイプ
AC FAB Pd2300S 1 94 - 98 － 0.3 - 0.8 8.4 50 - 56 還元　汎用タイプ　高浴負荷めっき用

Pt

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項目選択 プロセス名 Pt濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ Pt1000 12 99.9 280 - 300 7 min （2.0） 1 - 3 0.7 75 - 85 低応力タイプ
プレシャスファブ Pt3LS 12 99.9 280 - 300 7 min （2.0） 1 - 3 1 75 - 85 汎用タイプ　5 µm以下
プレシャスファブ Pt-SF 12 99.9 300 - 360 3.6 min （2.0） 1 - 3 13.4 85 - 95 10 µm以上対応可
プレシャスファブ Pt-LUNA 20 99.9 300 - 360 3.0 min （2.5） 2 - 3 13.8 85 - 95 100 µｍ以上対応可　高速タイプ
Pt-250KM 5 99.9 300 - 500 10 min/ 0.1 um （1.5） 1 - 2 6.1 70 - 80 低濃度Ptタイプ　
高密着性（Niダイレクト可）　0.2 µm以下
Pt-745 12 99.9 300 - 500 10 min （0.8） 0.3 - 1.3 12.5 75 - 85 汎用タイプ　厚付け用
プレシャスファブ Pt2000 10 99.9 450 - 500 5.0 min （2.0） 1 - 8 ＜１ 50 - 60 高耐食性　汎用タイプ

Rh

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項目選択 プロセス名 Rh濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ Rh100 5 99.9 900 - 1000 5 min （1.3） 0.5～1.5 ＜1 45～55 汎用タイプ
プレシャスファブ Rh200 5 97 - 99 1200 - 1500 0.14 um/min （1.0） 0.8～2.0 ＜1 48～55 低応力タイプ
プレシャスファブ Rh1000 2 90 200～300 10 min （4） 2～6 ＜1 50～65 低Rh浴　高耐食性　膜厚目安 0.2 µm
プレシャスファブ Rh1100 5 ＞90 300 0.2 min （4） 3.0～6.0 ＜1 50～65 高密着性　高耐食性　
膜厚目安 0.5-1.0 µm
プレシャスファブ Rh2000 10 95 - 99 800 - 1000 2 min （4） 2.0～12.0 ＜1 45～55 RhRu合金　高硬度　高耐食性　
膜厚目安 1-3 µm

Ir

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項目選択 プロセス名 Ir濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ Ir300 15 99.9 － 15 min （0.4） 0.2 - 0.5 3.5 80 - 90 純Ir　汎用タイプ　< 1.0 µm
プレシャスファブ Ir500 16 90 - 98 － 10 min （0.5） 0.2 - 1.0 3.5 80 - 90 IrNi合金　1-3 µｍ

Ru

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項目選択 プロセス名 Ru濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ Ru100 10 99 770 - 870 10 min （1.0） 0.8 - 1.2 1.3 60 - 70 汎用タイプ　< 1.0 µm
プレシャスファブ Ru1000 2 99.9 － 10 min （1.0） 0.8 - 1.2 1.0 60 - 70 低濃度Ruタイプ　< 0.5 µm

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