Plating Chemicals
めっき薬品について

Au

電解 > シアン

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV/HK*）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ Au125 8 99.99 50 - 80 3.4 min （0.5） 0.2 - 0.7 6.5 50 - 70 Tl不含有
プレシャスファブ Au401 8 99.99 50 - 80＊ 1.7 min （1.0） 0.2 - 1.0 6.5 50 - 70 汎用タイプ
プレシャスファブ Au8100 8 99.99 50 - 80＊ 5.5 min （0.3） 0.1 - 0.7 6.0 50 - 75 Tl不含有
プレシャスファブ Au8400 8 99.99 50 - 80＊ 4 min （0.4） 0.2 - 1.0 6.0 50 - 70 均一電着性良
プレシャスファブ Au8405 12 99.99 50 - 80＊ 34 sec （3.0） 1.0 - 5.0 6.0 65 - 75 高速　均一電着性良
プレシャスファブ Au8500 6 99.99 80 - 120 8 min （0.2） 0.1 - 0.8 6.0 50 - 70 低濃度Au　均一電着性良
プレシャスファブ Au9500 8 99.99 50 - 80＊ 4 min （0.4） 0.2 - 1.0 6.5 50 - 70 均一電着性良
プレシャスファブ Au9505 16 99.99 50 - 80＊ 34 sec （3.0） 1.0 - 5.0 5.0 65 - 75 高速めっき浴　均一電着性良
プレシャスファブ Au-MLA100 3.5 99.99 50 - 80＊ 8 min （0.2） 0.1 - 0.4 4.7 55 - 65 低濃度Au　均一電着性良
プレシャスファブ Au-MLA300 3.5 99.99 50 - 80 8 min （0.2） 0.1 - 0.5 6 55 - 65 低濃度Au　Auストライクフリー　均一電着性良
プレシャスファブ Au-BHG100 3.5 99.9 130 - 200 9 min （0.2） 0.1 - 0.3 6.4 30 - 40 純金　高硬度タイプ
プレシャスファブ Au-GB5 8 99.9 90 - 120 4 min （0.4） 0.1 - 0.7 6.1 40 - 60 ウェハ使用可
プレシャスファブ Au-GF100 3.5 99.99 50 - 80 8 min （0.2） 0.1 - 0.5 4.7 55 - 65 低濃度Au　均一電着性良　高耐食性
K-44 8-10 99.99 80 - 110 1.7 min （1.0） ＜1.0 6.3 65 ラック用標準タイプ
K-440 10 99.99 80 - 110 13 sec （10） ＜16 6.7 75 高速めっき浴
K-735 8 99.9 100 - 110 3.2 min （0.5） 0.4 - 0.6 6.5 45-55 ウェハ使用可　高硬度タイプ（90-100Hv-250℃・N2・30min）

電解 > ノンシアン

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
※硬度はアニール後の参考値です。
ミクロファブ Au100 10 99.99 60 - 90 3.2 min （0.5） 0.1 - 0.8 8.0 60 - 70 汎用タイプ，低硬度バンプ
（40-55 Hv*-300℃・N2・30 min）
ミクロファブ Au310 10 99.9 120 - 190 4 min （0.4） 0.2 - 0.6 8.0 40 - 50 光沢タイプ
ミクロファブ Au660 16 99.99 100 - 130 2 min （0.8） 0.5 - 1.2 8.0 55 - 65 低硬度バンプ
（40-55 Hv*-300℃・N2・30 min）
ファインパターン　高速タイプ
ミクロファブ Au1101 10 99.99 80 - 110 3.2 min （0.5） 0.2 - 0.7 8.0 60 - 70 中硬度バンプ
（60-80 Hv*-250℃・N2・30 min）
ファインパターン
ミクロファブ Au1151 15 99.99 80 - 110 2 min （0.8） 0.4 - 1.0 8.0 55 - 65 中硬度バンプ　ファインパターン
高速タイプ
ミクロファブ Au2108 10 99.99 100 - 130 3.2 min （0.5） 0.2 - 0.7 8.0 55 - 64 低硬度バンプ　ファインパターン
ミクロファブ Au2168 16 99.99 100 - 130 2 min （0.8） 0.5 - 1.2 8.0 55 - 65 低硬度バンプ　ファインパターン
高速タイプ
ミクロファブ Au3151 15 99.99 80 - 100 2 min （0.8） 0.4 - 1.0 8.0 60 - 70 高硬度バンプ
（80-100 Hv*-250℃・N2・30 min）ファインパターン　高速タイプ

無電解 > シアン

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
µm/Time		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
IMマイスター Au1100S 2 99.9 － 0.03 - 0.06 µm/ 10 min 4.8 75 - 90 置換タイプ ENIG, ENEPIG用
IMマイスター Au1200 2 99.9 － 0.02 - 0.06 µm/ 10 min 4.7 75 - 90 置換タイプ　無電解Ni（Ni-B含む）及びPd上可　密着性/膜厚均一性良
IMマイスター Au-FX5 2 99.9 － 0.3-0.5 µm/ 20min（on Ni）
0.15-0.25 µm/ 20min（on Ni）		 5.0 80 - 90 厚付け置換タイプ　ENIG, ENEPIG用
IMマイスター Au-IG100 2 99.9 － 0.25 µm/ 20 min（Ni上）
0.15 µm/ 20 min（Pd上）		 5.0 80 - 90 置換タイプ　ENIG, ENEPIG用　
膜厚均一性良
セラゴールド 6040 3.5 99.9 － 3 - 6 µm/ hr 13.0 65 - 75 高速還元厚付けタイプ
セラゴールド 6070 3 99.9 － 1.5 - 3.5 µm/ hr 12.9 63 - 68 Pbフリー　中速還元厚付けタイプ
アトメックス 3.8 99.9 － 0.1 µm/ 10 min 5.5 80 置換タイプ　ENIG, ENEPIG用
IMEX-510D 3 99.9 － 0.02 µm/ 10 min 6.0 80 Cu材直置換タイプ

無電解 > ノンシアン

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
µm/Time		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
IM FAB Au-IGS4000 1 99.9 － 0.02 - 0.08 µm/ 5 - 30 min 7.5 67 - 73 置換　低濃度Au　ENIG用
IM FAB Au-IGS4200 1 99.9 － 0.02 - 0.1 µm/ 5 - 30 min 7.4 70 - 74 置換　低濃度Au　高リンNi上に最適
IM FAB Au-IGS8700 1 99.9 － 0.02 - 0.08 µm/ 5 - 30 min 7.5 55 - 65 置換　ENEPIG用　低濃度Au　低温タイプ
AC FAB Au-ACG3000GX 2 99.9 － 0.5 - 0.8 µm/hr 7.5 65 還元　ウェハ　基板対応
スーパーメックス#250 3 99.9 － 0.05 µm/ 10 min 7.0 70 置換　汎用タイプ
スーパーメックス#850 4 99.9 － 0.6 µm/ 60 min 7.0 65 - 70 還元　 浴安定性が高い
スーパーメックス#880 2 99.9 － 0.5 µm/ 60 min 7.3 60 還元　低濃度Auタイプ

フラッシュAu/ストライクAu

シアン

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
ポストフラッシュ 100 0.5 99.9 － 15 - 30 0.01 - 0.2 6 40 - 60 Pd-PPF用フラッシュAu
プレシャスファブ Au-ST100 1 － － 10 - 20 3.0 - 6.0 3.7 45 - 55 標準Auストライク
プレシャスファブ Au-ST200 1 － － 10 - 15 2.0 - 6.0 6.5 20 - 40 弱酸性Auストライク
プレシャスファブ Au-ST300 2 － － 10 - 60 1.0 - 5.0 ＜1.0 30 - 50 SUS用Auストライク：塩酸タイプ
プレシャスファブ Au-ST400 2 － － 10 - 100 2.0 - 6.0 ＜1.0 25 - 40 SUS用Auストライク：塩素フリー
N-200 0.5 - 2 － － 15 - 30 3 - 7 5.5 20 - 30 低温仕様Auストライク
K-130（AF） 0.5 - 3 99.99 － 0.05 µm/
15 - 30 sec		 0.5 - 2 5.5 50 標準Auストライク, 防カビタイプ
N-205 3 99.5 （150 - 250） 0.2 µm/ 70 sec 2.0 - 7.0 1＜ 35 - 45 SUS用Auストライク：塩素フリー,
5 µm厚付け可能

ノンシアン

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
ミクロファブ AuFL2100 4 99.99 － 11 min （0.15） 0.15 - 0.2 7.8 35 - 45 Tlフリー　Auストライクフリー　
ダイレクトニッケル ＜ 1.0 µm
NCF-400FL-ST 4 99.99 － 6 min （0.3） 0.1 - 0.3 8.0 35 - 45 Auストライクフリー　ダイレクトニッケル　カッパー ＜ 2.0 µm
ミクロファブ Au NX-ST 1 － － － 2.0 - 5.0 8.5 20 - 40 Tlフリー　高密着性　汎用タイプ　Auストライク ＜ 0.05 µm
ミクロファブ Au NX-ST1000 1 － － － 2.0 - 5.0 8.5 20 - 40 Tlフリー　高密着性　汎用タイプ　Auストライク ＜ 0.05 µm

Au合金

AuCo

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ HG-C 8 98.5 - 99.5 200 - 240 5.8 min （1.0） 0.2 - 1.0 3.6 30 - 35 ラック～JETまで汎用タイプ
プレシャスファブ HG-GVCS 2 99.5 - 99.9 120 - 240 4 min （2） 0.6 - 6 4.2 35 - 50 GVCの低濃度Au　基板向け
プレシャスファブ HG-GVCL 4 99.5 - 99.9 120 - 190 2 min （4） 0.5 - 10 4.2 35 - 50 GVCの低濃度Au
プレシャスファブ HG-GVC 10 99.5 - 99.9 120 - 190 8 sec （60） 10 - 150 4.4 55 - 70 ラック～JETまで汎用タイプ　
液安定性高い
プレシャスファブ HG-ICC7 8 99.5 - 99.9 150 - 200 8 sec （50） 20 - 100 4.4 55 - 65 コネクター向け（Niバリアタイプ 用）
FINE BARRIER 7000 3 - 10 99.8 130 - 170 12 sec （40） ＜ 60 4.2 55 コネクター向け（Niバリアタイプ 用）
K-185ST 2 - 10 99.5 - 99.9 140 - 210 8 sec （40） ＜ 60 4.4 35 - 60 ラック～JETまで汎用タイプ　
液安定性高い 防カビタイプ

AuNi

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ HG-N 8 98.5 - 99.5 160 - 210 4 min （1.5） 0.3 - 1.5 3.6 32 ラック～JETまで汎用タイプ
プレシャスファブ HG-NW 4 88 - 92 390 - 430 10 min （1.0） 0.5 - 1.5 4.8 45 - 55 高硬度タイプ
プレシャスファブ HG-GVNL 4 99.5 - 99.9 110 - 170 2.7 min （2.0） 0.5 - 10 4.2 35 - 50 GVNの低濃度タイプ
プレシャスファブ HG-GVN 8 99.5 - 99.9 120 - 190 11 sec （50） 10 - 100 4.4 55 - 70 ラック～JETまで汎用タイプ　
液安定性高い
プレシャスファブ HG-ICN100 8 99.5 - 99.9 150 - 200 12 sec （50） 10 - 100 4.2 40 - 50 コネクター向け（Niバリアタイプ 用）
FINE BARRIER 7000-NI 5 - 15 99.8 130 - 170 12 sec （40） ～60 4.2 55 コネクター向け（Niバリアタイプ 用）

AuSn

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ GT1000 10 75 - 80 － 3.2 min （0.75） 0.5 - 1.0 4.0 38 - 42 合金比率の調整可能
プレシャスファブ GT1020 10 70 - 80 － 3.0 min （0.6） 0.5 - 0.7 4.1 38 - 42 スター装置（三友）併用で析出比率安定
プレシャスファブ GT1100 10 62 - 68 － 6 min （0.4） 0.3 - 0.6 4.0 40 - 44 析出比率安定

AuAg

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
プレシャスファブ GS3000 4 40 - 80 160 - 220 3.1 min （0.5） 0.25 - 0.75 9.5 20 - 30 高耐食性　光沢外観

AuCu

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項目選択 プロセス名 Au濃度
（g/L）		 析出純度
（%）		 硬度
（HV）
As Depo		 析出速度
Time/µm
（C.D. A/dm2）		 電流密度
（A/dm2）		 pH 操作温度
（℃）		 特徴
ミクロファブ Au NX260 10 65 - 70 300 - 400 3.5 min （1.0） 0.8 - 1.2 6.6 58 - 62 高硬度　光沢　厚付け　AuCu合金
ミクロファブ Au NX240 10 98.5 - 99.5 200 - 240 3.3 min （0.5） 0.2 - 0.7 7.2 60 - 70 光沢　厚付け　AuCu合金

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