Pd
電解Electroplating
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Pd Content Pd濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV/HK*） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PD-LF-800S | 1 - 5 | 99.9 | 240 - 270 | 約Approx. 4 min |
（1.0） | ～1.5 | 8.5 | 35 - 50 | From Pd strike to thick plating 厚付け対応Pdストライク |
|
| PRECIOUSFAB Pd-ST3 プレシャスファブ Pd-ST3 |
0.5 | - | - | - | - | 3 - 5 | 7.5 | 35 - 45 | Standard Pd strike 標準Pd ストライク |
|
| PRECIOUSFAB Pd110 プレシャスファブ Pd110 |
25 | 99.9 | 210 - 260 | 6 sec | （50） | 30 - 100 | 8.3 | 50 - 65 | High-speed 高速タイプ |
|
| PRECIOUSFAB Pd-LF5 プレシャスファブ Pd-LF5 |
4 | 99 | 240 - 290 | 4.2 min | （1.0） | 0.5 - 1.0 | 8.8 | 50 - 60 | For Pd-PPF Pd-PPF用 |
|
| PRECIOUSFAB Pd-ADP700 プレシャスファブ Pd-ADP700 |
3 | 99.9 | 240 - 270 | 5.4 min | （0.75） | 0.5 - 1.0 | 7.0 | 45 - 55 | Pure Pd, Neutral type, Less ammonia odor, Chlorine free 純Pd 中性浴 低アンモニア 塩素フリー |
|
| PRECIOUSFAB Pd-ADP720 プレシャスファブ Pd-ADP720 |
3 | 99.9 | 240 - 270 | 5.4 min | （0.75） | 0.5 - 1.0 | 7.0 | 45 - 55 | Pure Pd, Neutral type, Less ammonia odor 純Pd 中性浴 低アンモニアタイプ |
|
| PRECIOUSFAB Pd-ADG800 プレシャスファブ Pd-ADG800 |
3 | 99 | 260 - 290 | 5.4 min | （0.75） | 0.5 - 1.0 | 7.0 | 45 - 55 | Neutral type, Less ammonia odor, High heat-resistance, Chlorine free 中性浴 低アンモニアタイプ 高耐熱性 塩素フリー |
|
| PRECIOUSFAB Pd-ADG860 プレシャスファブ Pd-ADG860 |
2.5 | 99 | 260 - 290 | 5.4 min | （0.75） | 0.6 - 0.9 | 7.0 | 45 - 55 | Neutral type, Less ammonia odor, High heat-resistance 中性浴 低アンモニアタイプ 高耐熱性 |
|
| PRECIOUSFAB Pd82GVE プレシャスファブ Pd82GVE |
20 | 78 - 82 | 480 - 530 | 5.6 sec | （50） | 20 - 60 | 7.5 | 65 - 75 | High-speed Pd/Ni alloy Pd80% 高速PdNi合金 Pd:80% |
|
| PRECIOUSFAB PC120 プレシャスファブ PC120 |
8 | 80 | 450 - 550 | 5.5 min | （1.0） | 0.5 - 1.5 | 7.5 | 40 - 60 | Pd/Co alloy, Thick deposits PdCo合金 厚付けタイプ |
|
| PRECIOUSFAB PC200 プレシャスファブ PC200 |
3.5 | 80 | 450 - 550 | 6 min | （0.75） | 0.25 - 1.0 | 7.5 | 45 - 55 | Pd/Co alloy, Stable alloy ratio, Low Pd content PdCo合金 析出比率安定 低Pd浴 |
|
| MICROFAB Pd700 ミクロファブ Pd700 |
3 | 99.9 | 240 - 270 | 5.4 min | （0.75） | 0.5 - 1.0 | 7.0 | 45 - 55 | For wafer, Low Pd content, Halogen-free ウェハー用 低Pd浴 ハロゲンフリー |
|
| MICROFAB Pd720 ミクロファブ Pd720 |
3 | 99.9 | 240 - 270 | 5.4 min | （0.75） | 0.5 - 1.0 | 7.0 | 45 - 55 | For wafer, Low Pd content ウェハー用 低Pd浴 |
|
| MICROFAB Pd750 ミクロファブ Pd750 |
10 | 99.9 | 220 - 270 | 4.1 min | （1.0） | 0.75 - 1.25 | 8.0 | 35 - 45 | For wafer, High-speed ウェハー用 高速タイプ |
|
Pd
無電解Electroless Plating
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Pd Content Pd濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Deposition Rate 析出速度 |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AC FAB Pd2000S | 1 | 94 - 98 | 0.4 - 0.8 μm/ h | 7.6 | 50 - 54 | Autocatalytic, For general applications 還元浴 汎用タイプ |
|
| AC FAB Pd2200S | 1 | 94 - 98 | 0.3 - 0.7 μm/ h | 7.6 | 50 - 56 | Autocatalytic, For general applications, Ready-to-use 還元浴 基本液タイプ 汎用タイプ |
|
| AC FAB Pd2300S | 1 | 94 - 98 | 0.3 - 0.8 μm/ h | 8.4 | 50 - 56 | Autocatalytic, For general applications, High bath load 還元浴 汎用タイプ 高浴負荷めっき用 |
Pt
電解Electroplating
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Pt Content Pt濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV/HK*） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRECIOUSFAB Pt1000 プレシャスファブ Pt1000 |
12 | 99.9 | 280 - 300 | 7 min | （2.0） | 1 - 3 | 0.7 | 75 - 85 | Low stress 低応力タイプ |
|
| PRECIOUSFAB Pt2000 プレシャスファブ Pt2000 |
10 | 99.9 | 450 - 500 | 5 min | （2.0） | 1 - 8 | ＜1 | 50 - 60 | High corrosion resistance, For general applications 高耐食性 汎用タイプ |
|
| PRECIOUSFAB Pt2500 プレシャスファブ Pt2500 |
10 | 99.9 | 450 - 500 | 2.6 min | （5.0） | 3 - 8 | ＜1 | 55 - 65 | High corrosion resistance, Low foaming 高耐食性 泡立ち抑制タイプ |
|
| PRECIOUSFAB Pt3LS プレシャスファブ Pt3LS |
12 | 99.9 | 280 - 300 | 7 min | （2.0） | 1 - 3 | 0.7 | 75 - 85 | Deposits up to several μms 数μmまでのめっき可能 |
|
| PRECIOUSFAB Pt-SF プレシャスファブ Pt-SF |
12 | 99.9 | 300 - 360 | 3.6 min | （2.0） | 1 - 3 | 13.6 | 88 - 95 | High-speed, Deposits ≥10 μm 高速タイプ 10 μm以上めっき可能 |
|
| PRECIOUSFAB Pt-LUNA プレシャスファブ Pt-LUNA |
20 | 99.9 | 300 - 360 | 3 min | （2.5） | 2 - 3 | 13.8 | 88 - 95 | High-speed, Thick deposits ≥50 μm 高速タイプ 50 μm以上めっき可能 |
|
| Pt-745 | 12 | 99.9 | 300 - 500 | 10 min | （0.8） | 0.3 - 1.3 | 12.5 | 65 - 85 | For general applications, Deposits ≥10 μm 汎用タイプ 10 μm以上めっき可能 |
|
| PRECIOUSFAB HP3000 プレシャスファブ HP3000 |
4/4 | 90/10 | 700 - 800 | 7 min | （4） | 4 - 6 | ＜1 | 55 - 65 | High corrosion resistance PtRu alloy 高耐食性 PtRu合金 |
|
| PRECIOUSFAB HP3100 プレシャスファブ HP3100 |
4/1.5 | 95/5 | 500 - 600 | 4 min | （4） | 4 - 8 | ＜1 | 55 - 65 | High corrosion resistance PtRu alloy 高耐食性 PtRu合金 |
|
| PRECIOUSFAB HP3500 プレシャスファブ HP3500 |
4/1.8 | 95/5 | 500 - 800 | 4 min | （4） | 3 - 8 | ＜1 | 60 | High corrosion resistance PtRu alloy, Low stress 高耐食性 PtRu合金 低応力 |
|
Pt
無電解Electroless Plating
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Pt Content Pt濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Deposition Rate 析出速度 |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AC FAB Pt200 | 0.6 | 99.9 | 0.02 - 0.04 μm/ h | 7.6 | 50 - 54 | Autocatalytic bath, For general applications, 還元浴 基本液タイプ |
|
| AC FAB Pt300 | 2 | 99.9 | 0.14 - 0.18 μm/ h | 8 | 44 - 46 | Autocatalytic bath, For general applications, 還元浴 基本液タイプ |
Rh
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Rh Content Rh濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRECIOUSFAB Rh100 プレシャスファブ Rh100 |
5 | 99.9 | 900 - 1000 | 5 min | （1.3） | 0.5 - 1.5 | ＜1 | 45 - 55 | For general applications 汎用タイプ |
|
| PRECIOUSFAB Rh200 プレシャスファブ Rh200 |
5 | 98 | 1200 - 1500 | 7.1 min | （1.0） | 0.8 - 2.0 | ＜1 | 48 - 55 | Low stress 低応力タイプ |
|
| PRECIOUSFAB Rh1000 プレシャスファブ Rh1000 |
2 | 90 | 200 - 300 | 10 min | （4） | 2 - 6 | ＜1 | 50 - 65 | RhP alloy, High corrosion resistance, Low Rh content, ≤0.2 μm RhP合金 高耐食性 低Rh浴 0.2 μm以下 |
|
| PRECIOUSFAB Rh1100 プレシャスファブ Rh1100 |
5 | 90＜ | 300 | 0.2 min | （4） | 3 - 6 | ＜1 | 55 - 65 | RhP alloy, High corrosion resistance, High adhesion, ≤1.0 μm RhP合金 高耐食性 高密着性 1.0 μm以下 |
|
| PRECIOUSFAB Rh2000 プレシャスファブ Rh2000 |
10/10 | 97 | 800 - 1000 | 2 min | （4） | 2 - 12 | ＜1 | 45 - 55 | RhRu alloy, High hardness, High corrosion resistance, ≤3.0 μm RhRu合金 高硬度 高耐食性 3.0 μm以下 |
|
Ir
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Ir Content Ir濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HV） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRECIOUSFAB Ir300 プレシャスファブ Ir300 |
15 | 99.9 | - | 15 min | （0.4） | 0.2 - 0.5 | 3.5 | 80 - 90 | Pure Iridium, ≤1.0 μm 純Ir 1.0 μm以下 |
|
| PRECIOUSFAB Ir500 プレシャスファブ Ir500 |
16 | 90 - 98 | - | 10 min | （0.5） | 0.2 - 1.0 | 3.5 | 80 - 90 | Ir/Ni alloy, ≤3.0 μｍ IrNi合金 3.0 μｍ以下 |
|
Ru
電解Electroplating
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| 項目選択 | Process プロセス名 |
Ru Content Ru濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Hardness 硬度 （HK*） As Depo |
Deposition Rate 析出速度 Time/µm （A/dm2） |
CD 電流密度 （A/dm2） |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PRECIOUSFAB Ru100 プレシャスファブ Ru100 |
10 | 99 | 770 - 870＊ | 10 min | （1.0） | 0.8 - 1.2 | 1.3 | 60 - 70 | For general applications, ≤1.0 μm 汎用タイプ 1.0 μm以下 |
|
| PRECIOUSFAB Ru300 プレシャスファブ Ru300 |
10 | 99.9 | 770 - 870＊ | 6.7 min | （1.5） | 1 - 2 | 1.5 | 60 - 70 | High purity deposits, Good electrical performance 高純度析出物 優れた電気特性 |
|
| PRECIOUSFAB Ru1000 プレシャスファブ Ru1000 |
2 | 99.9 | - | 10 min | （1.0） | 0.8 - 1.2 | 1.0 | 60 - 70 | Low Ru concentration, ≤0.5 μm 低Ru濃度 0.5 μm以下 |
|
Ru
無電解Electroless Plating
表は右スクロールできますScroll Right →
| 項目選択 | Process プロセス名 |
Ru Content Ru濃度 （g/L） |
Purity 析出純度 （%） |
Deposition Rate 析出速度 |
pH | Temp. 操作温度 （℃） |
Features 特徴 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AC FAB Ru200 | 0.15 | 99.9 | 0.3 - 0.5 μm/ h | 12.5 | 40 - 45 | Autocatalytic bath, For general applications 還元浴 基本液タイプ |